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  • 纳米银导电薄膜用蚀刻液
  • 2016-06-04
  • 纳米银薄膜用蚀刻液/蚀刻膏

    Etchant & Etching Paste for AgNW TCF


                         项目( Item )                                  蚀刻液 (Etchant for AgNW TCF ) 
                          对应物 Target  )

                            柔性纳米银透明导电薄膜 ( AgNW TCF )

                         适用工艺 Method )

                                     曝光工艺 ( Photolithography ) 

                   工艺温度/时间 Temp./Time )                       常温/60-120sec  ( Room Temp./60-120sec )
                       最小线宽 ( Pattern )                                                    20um 
                      特点  Characteristics )

                                      通过局部蚀刻,改善蚀刻痕

                              Good Invisibility,Partial Etching 


                           项目( Item )                          蚀刻液 (Etching Paste for AgNW TCF )
                           对应物 Target )                         柔性纳米银透明导电薄膜  AgNW TCF )
                          适用工艺 Method )                                  丝网印刷工艺  Screen Printing )
                    工艺温度/时间 ( Temp./Time )                                          110 ℃ / 5-10min
                           最小线宽 ( Pattern )                                  200um 或 30um  镭射/Laser )
                         特点  Characteristics )

                 与镭射工艺共同适用,大幅度缩短镭射工艺时间。  

                           High Productivity with Laser Etching.


    适用效果:

    全面蚀刻 (Full Etching )  OR  局部蚀刻 ( Partial Etching )



    企业官网www.mogreat.com